碳化硅(SiC) MOSFET使用一種全新技術，與硅相比，該技術提供了卓越的開關性能和更高的可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此，系統優勢包括最高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統尺寸。