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碳化硅（SiC）俗稱金剛砂，為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。SiC是目前發展最成熟的寬禁帶半導體材料，已經形成了全球的材料、器件和應用產業鏈。SiC材料方面的企業以Cree、II-VI、Dow Corning等為代表，其中2013年Cree開發出6英寸SiC單晶產品，其微管密度低于1個/cm2;多家公司研發出厚度超過250μm的SiC外延材料樣品，并批量提供中低壓器件用SiC外延材料產品。在SiC器件方面，國際上報道了10kV~15kV/10A~20A的SiC MOSFET、超過20kV的SiC功率二極管和SiC IGBT芯片樣品。Cree和Rohm公司開發了SiC MOSFET產品，電壓等級從650V~1700V，單芯片電流超過50A，并開發出1200V/300A、1700V/225A的全碳化硅功率模塊產品。

氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙*的半導體，GaN是另一種重要的寬禁帶半導體材料。它具有獨特的異質結結構和二維電子氣，在此基礎上研制的高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種平面型器件，可以實現低導通電阻、高開關速度的優良特性。國際上也有團隊報道了垂直型的GaN電力電子器件。近年來圍繞GaN半導體器件的全球研發投入以及生產規模均快速增長，其中650V以下的平面型HEMT器件已經實現了產業化。

發展應用領域
根據第三代半導體的發展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域，每個領域產業成熟度各不相同。在前沿研究領域，寬禁帶半導體還處于實驗室研發階段。


第三代寬禁帶半導體材料應用領域 

半導體照明
LED襯底類別包括藍寶石、碳化硅、硅以及氮化鎵。藍光LED在用襯底材料來劃分技術路線。SiC襯底有效地解決了襯底材料與GaN的晶格匹配度問題，減少了缺陷和位錯，更高的電光轉換效率從根本上帶來更多的出光和更少的散熱。氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越特性，是迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。時至今日，氮化鎵襯底相對于藍寶石、碳化硅等襯底的性能優勢顯而易見，最大難題在于價格過高。

功率器件
2015年，SiC功率半導體市場（包括二極管和晶體管）規模約為2億美元，到2021年，其市場規模預計將超過5.5億美元，這期間的復合年均增長率預計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正（PFC）電源市場，仍將是SiC功率半導體最主要的應用。

目前市場上主要GaN產品是應用于高功率密度DC/DC電源的40-200伏增強性高電子遷移率異質節晶體管(HEMT)和600伏HEMT混合串聯開關，國外廠商主要有EPC、IR、Transphorm、Panasonic、ExaGaN、GaN Systems等公司。中國GaN相關企業有IDM公司中航微電子、蘇州能訊，材料廠商中稼半導體、三安光電、杭州士蘭微等公司。

微波器件
GaN高頻大功率微波器件已開始用于軍用雷達、智能武器和通信系統等方面。在未來，GaN微波器件有望用于4G～5G移動通訊基站等民用領域。市調公司Yole預測，2016～2020年GaN射頻器件市場將擴大至目前的2倍，市場復合年增長率（CAGR）將達到4%；2020年末，市場規模將擴大至目前的2.5倍。GaN在國防領域的應用主要包括IED干擾器、軍事通訊、雷達、電子對抗等。GaN將在越來越多的國防產品中得到應用，充分體現其在提高功率、縮小體積和簡化設計方面的巨大優勢。

激光器和探測器
在激光器和探測器應用領域，GaN激光器已經成功用于藍光DVD，藍光和綠色的激光將來巨大的市場空間在微型投影、激光3D投影等投影顯示領域，藍色激光器和綠光激光器產值約為2億美元，如果技術瓶頸得到突破，潛在產值將達到500億美元。2014年諾貝爾獎獲得者中村修二認為下一代照明技術應該是基于GaN激光器的“激光照明”，有望將照明和顯示融合發展。目前，只有國外的日本日亞公司（Nichia）、和德國的歐司朗(Osram)等公司能夠提供商品化的GaN基激光器。

由于氮化鎵優異的光電特性和耐輻射性能，還可以用作高能射線探測器。GaN基紫外探測器可用于導彈預警、衛星秘密通信、各種環境監測、化學生物探測等領域，例如核輻射探測器，X射線成像儀等，但尚未實現產業化。