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隨著技術的發展，終端設備對于半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。特別是隨著5G的即將到來，也進一步推動了以氮化鎵（GaN）第三代半導體材料的快速發展。

　　什么是GaN？

　　GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。

GaN器件逐步步入成熟階段

　　氮化鎵技術可以追溯到1970年代，美國無線電公司（RCA）開發了一種氮化鎵工藝來制造LED。自上世紀90年代開始，基于GaN的LED大放異彩，目前已是LED的主流。現在市場上銷售的很多LED就是使用藍寶石襯底的氮化鎵技術。

　　除了LED，氮化鎵也被使用到了功率半導體與射頻器件上。基于氮化鎵的功率芯片正在市場站穩腳跟。2010年，第一個GaN功率器件由IR投入市場，2014年以后，600V GaN HEMT已經成為GaN器件主流。2014年，行業首次在8英寸SiC（碳化硅）上生長GaN器件。

GaN在電力電子領域與微波射頻領域均有優勢

　　①、GaN在電力電子領域：高效率、低損耗與高頻率

　　高轉換效率：GaN的禁帶寬度是Si的3倍，擊穿電場是Si的10倍。因此，同樣額定電壓的GaN開關功率器件的導通電阻比Si器件低3個數量級，大大降低了開關的導通損耗。

　　低導通損耗：GaN的禁帶寬度是Si的3倍，擊穿電場是Si的10倍。因此，同樣額定電壓的GaN開關功率器件的導通電阻比Si器件低3個數量級，大大降低了開關的導通損耗。

Si功率器件開關速度慢，能量損耗大

GaN開關速度快，可大幅度提升效率

高工作頻率：GaN開關器件寄生電容小，工作效率可以比Si器件提升至少20倍，大大減小了電路中儲能原件如電容、電感的體積，從而成倍地減少設備體積，減少銅等貴重原材料的消耗。

　　②、GaN在微波射頻領域：高效率、大帶寬與高功率

　　更高功率：GaN上的電子具有高飽和速度（在非常高的電場下的電子速度）。結合大電荷能力，這意味著GaN器件可以提供更高的電流密度。RF功率輸出是電壓和電流擺動的乘積，因此更高的電壓和電流密度可以在實際尺寸的晶體管中產生更高的RF功率。在4GHz以上頻段，可以輸出比GaAs高得多的頻率，特別適合雷達、衛星通信、中繼通信等領域。

　　更高效率：降低功耗，節省電能，降低散熱成本，降低總運行成本。

　　更大的帶寬：提高信息攜帶量，用更少的器件實現多頻率覆蓋，降低客戶產品成本。也適用于擴頻通信、電子對抗等領域。

另外值得一提的是，GaN－on－SiC器件具有出色的熱性能，這主要歸功于SiC的高導熱性。實際上，這意味著GaN－on－SiC器件在耗散相同功率時不會像GaAs或Si器件那樣熱。“較冷”設備意味著更可靠的設備。

　　4、與第二代半導體材料GaAs相比優勢明顯

　　GaN器件的功率密度是砷化鎵（GaAs）器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率，這是由于器件外圍更小。

　　GaN場效應晶體管（FET）器件的工作電壓可以比同類GaAs器件高五倍。由于GaN FET器件可以在更高的電壓下工作，因此設計人員可以更輕松地在窄帶放大器設計上實現阻抗匹配。阻抗匹配是以這樣的方式設計電負載的輸入阻抗的實踐，其最大化從設備到負載的功率傳輸。

　　GaN FET器件的電流是GaAs FET器件的兩倍。由于GaN FET器件可提供的電流是GaAs FET器件的兩倍，因此GaN FET器件具有更高的帶寬能力。大部分的半導體器件對于溫度的變化都是非常敏感的，為了保證可靠性，半導體的溫度變化必須被控制在一定范圍內。熱管理對于RF系統來說尤其重要，因為它們本身能量損耗就比較高，會帶來比較嚴重的散熱問題。GaN在保持低溫方面有其獨特優勢，另外即使在溫度較高的情況下，相比于硅其性能影響較小。例如100萬小時失效時間中位數MTTF顯示，GaN比GaAs的工作溫度可以高50攝氏度。

GaAs與GaN的可靠性比較

與其他半導體（如Si和GaAs）相比，GaN是一種相對較新的技術，但它已成為高射頻，高耗電應用的首選技術，如長距離或高端功率傳輸信號所需的應用（如雷達，基站收發信臺［BTS］，衛星通信，電子戰［EW］等）。

　　5、隨著成本降低，GaN市場空間巨大

　　隨著成本降低，GaN市場空間巨大。GaN與SiC、Si材料各有其優勢領域，但是也有重疊的地方。GaN材料電子飽和漂移速率最高，適合高頻率應用場景，但是在高壓高功率場景不如SiC；隨著成本的下降，GaN有望在中低功率領域替代二極管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以電壓來分，0～300V是Si材料占據優勢，600V以上是SiC占據優勢，300V～600V之間則是GaN材料的優勢領域。